Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4

Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Оперативна Памьять ОЗУ Micron Memory RAM 2400 DDR4
Технічні специфікації:
Бренд Micron DDR4 виробляється на заводах Micron по всьому світу, включаючи Вірджинію, Японію та Тайвань.
Обьєм оперативної памьяті 1x - 4 ГБ
Тип оперативної памьяті PC4-19200 DDR4 SDRAM
Швидкість оперативної памьяті 2400 МГц

Модуль памяті: 2400MT/s 38-38-38
Напруга живлення: 1,2 В - 1.2 V
Ємність: Одиночна модуль: 4 ГБ
Схема таймінгів: CL38
Робоча температура: -40 C до +95 C , 0 C до +95 C
Габарити: 69,6 мм x 30 мм
Висота (поперечна) 30 мм.
загальна Довжина плати 70 мм.
Діагональ 75 мм.
кількість Pin: 72 контактів -розділовий ключ- 58 контактів х2 контактів 130
Мікропроцесорів памьяті: 4.
Радіатори охолодження: немає.
По одному отвору для затискання фіксаторів плати з обох боків.

– DDR4 додав кілька нових функцій енергозбереження порівняно з DDR3, зокрема:
1. Знижена потужність драйверів псевдовідкритого стоку для контактів DQ.
2. Додатковий режим вимкнення вхідного буфера ODT для функції вимкнення живлення.
3. Додаткова функція режиму максимального енергозбереження.
4. Додаткова затримка адреси команди (CAL).

ФУНКЦІЇ/ОПЦІЇ/ТЕХНОЛОГІЇ DDR4:
Напруга (ядро та вхід/вихід) 1,2 В./V. ПЕРЕВАГА DDR4 - Зменшує споживання енергії пам'яті.
Входи VREF 1 – CMD/ADDR. DDR4 - VREFDQ тепер внутрішній.
Стандарт низької напруги Немає. DDR4 - зниження потужності памяті.
Швидкість передачі даних (Мб/с) 1600Мгц/1866Мгц/2133Мгц/2400Мгц/2666Мгц/3200Mhz. DDR4 - Перехід до високошвидкісного введення-виведення.
Щільності 2 Гб–16 Гб. DDR4 - Кращі можливості для підсистем пам’яті великої ємності.
Внутрішні банки 16. DDR4 - Більше банків.
Банківські групи (BG) 4. DDR4 - Швидший пакетний доступ.
tCK – DLL увімкнено 667 МГц до 1,6 ГГц. DDR4 - Більш висока швидкість передачі даних.
t CK – DLL вимкнено. Невизначено до 125 МГц. DDR4 - DLL-off тепер повністю підтримує
×