Можливо ви шукали
Знайдені об'яви
https://www.youtube.com/watch?v=7J7X7aZvMXQ
m . olx . ua / 773100654/
prosto-trade AT ukr.net
1) 1827 MTA4ATF51264ZH-2G3B2 MICRON 4GB DPAKQN1003
2) 1837 MTA4ATF51264HZ-2G3E2 MICRON 4GB DPAL57P009
3) ( — ) 1750 MTA4ATF51264HZ-2G3E2 MICRON 4GB DPAJK9E001 – SOLD. ПРОДАНО.
4) 1837 MTA4ATF51264HZ-2G3E2 MICRON 4GB DPAL57P009
Тип оперативної памьяті (Module Bandwidth - PC4-19200) (DDR4 - Double Data Rate) (SDRAM - Synchronous Dynamic Random Access Memory).
(Data Rate MT/s. - Швидкість оперативної памьяті = 2400.
Модуль памяті: 2400 (MT/s Data Rate) 17-17-17-39 (Module Type H - Small Outline SO-DIMM)
Buffered ECC = False - Буфферізація Неточна
Clock Frequency = Частота Годинника = 1200 MHz
Напруга живлення: від негативної 0.0 Вт. до 1.2 Вт = 1200 мілі-вольт
Осередки (ячейки) 1T1C мають всю ідентичну здатність та спроможність та ультра розмір (в декілька НАНО розмірних габаритів) - які мають побудовану структуру і складаються з транзистора (який викор. для ізоляції) конденсатора який в свою чергу накопичує електричний заряд чи електрон у вигляді 1 біта даних в одному конденсаторі, матеріал в цьому конд. це ел.провідний чи активний - кремній з рядністью 1 вольт, та негативний який розряжає конд. в нуль 0.0 вольт.
(кожний окремий банк на платі має накопичення до 1 Гб. даних)
Схема таймінгів: (Clock Cycles CL17)
-
тест плат був виконаний при программі:
MemTest 86 v. 11.3 Pro Build 1000
PassMarkSoftware - passmark com
-
Кількість модулів ОЗП: 1
Виявлено кількість SPDs ОЗП: 1
Усього фізичної пам'яті: 3995M
RAM Configuration:
Transfer Speed: 2400MT/s
Channel Mode: x1 Канал
Timings: 17-17-17-39
Voltage: 1.200mV
ECC активний: Ні
-
Максимальна тактова частота (МГц): 1200 (JEDEC)
Максимальна швидкість передачі даних (MT/s): DDR4-2400
Максимальна пропускна спроможність (МБ/сек.): PC4-19200
Об'єм пам'яті (МБ): 4096
Назва виробника (JEDEC): Micron Technology
Версія SPD: 1.1
ECC: Ні
SPD: 0
Частина модуля: 4ATF51264HZ-2G3E2
Версія модуля: 0x0032
Порядковий номер модуля: 1E5F113A
Місцезнаходження модуля: 0x0F
Ряд адресних бітів: 16
Колонки адресних бітів: 10
Банків: 8
Рангів: 1
Ширина пристрою в бітах: 16
Ширина шини в бітах: 64
Напруга модуля: 1.2V
Підтримувані латентності (CAS): 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Максимальна тактова частота МГц: 1200
Максимальна швидкість передачі MT/s: DDR4-2400
Максимальна пропускна спроможність МБ/сек.: PC4-19200
Мінімальний час циклу, tCK ns: 0.833
Мінімальний час латентності CAS, tAA ns: 13.750
Мінімальна затримка з RAS в CAS, tRCD ns: 13.750
Мінімальний передзавантажувальний час ряду, tRP ns: 13.750
Мінімальний час від активного до передзавантажувального, tRAS ns: 32.000
Мінімальна затримка від активного до активного ряду, tRRD ns: 5.300
Мінімальний час від автооновлення до активного автооновлення, tRC ns: 45.750
Мінімальний командний період від автооновлення до активного автооновлення, tRFC ns: 350.000
DDR4 Specific SPD Attributes
Maximum Clock Cycle Time, tCKmax ns: 1.600
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 ns: 260.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC4 ns: 160.000
Minimum Activate to Activate Delay diff. bank group, tRRD_Smin ns: 5.300
Minimum Activate to Activate Delay same bank group, tRRD_Lmin ns: 6.400
Minimum CAS to CAS Delay Time Same Bank Group, tCCD_Lmin ns: 5.000
Minimum Four Activate Window Delay ns: 30.000
Maximum Activate Window in units of tREFI: 8192
Thermal Sensor Present: No
DRAM Stepping: 69
SDRAM Package Type: Monolithic, 1 die, Single load stack
Maxium Activate Count (MAC): Unlimited MAC
Post Package Repair Supported: Yes
Module Type: SO-DIMM
Total Width: 64 bits
Data Width: 64 bits
Form Factor: SODIMM
фізичної пам'яті: 3995M (11986 MB/s)
RAM Configuration: DDR4 2400MT/s x1 Канал 17-17-17-39 1.200mV
Виявлено кількість SPDs ОЗП: 1
SPD 0: 4GB DDR4 1Rx16 PC4-19200
Кількість модулів ОЗП: 1
DIMM0: 1Rx8 PC4-19200
Vendor Part Info: 0x802C
SMBIOS Profile: 2400MT/s
-
support . apple . com / kb / SP760?locale=uk_UA
micron . com / products / memory / dram-modules / sodimm
micron . com / products / memory / dram-modules / udimm
Читати даліОпубліковано 2026/05/17. Змінено на 2026/05/17.
https://www.youtube.com/watch?v=7J7X7aZvMXQ
m . olx . ua / 773100654/
prosto-trade AT ukr.net
1) 1827 MTA4ATF51264ZH-2G3B2 MICRON 4GB DPAKQN1003
2) 1837 MTA4ATF51264HZ-2G3E2 MICRON 4GB DPAL57P009
3) ( — ) 1750 MTA4ATF51264HZ-2G3E2 MICRON 4GB DPAJK9E001 – SOLD. ПРОДАНО.
4) 1837 MTA4ATF51264HZ-2G3E2 MICRON 4GB DPAL57P009
Тип оперативної памьяті (Module Bandwidth - PC4-19200) (DDR4 - Double Data Rate) (SDRAM - Synchronous Dynamic Random Access Memory).
(Data Rate MT/s. - Швидкість оперативної памьяті = 2400.
Модуль памяті: 2400 (MT/s Data Rate) 17-17-17-39 (Module Type H - Small Outline SO-DIMM)
Buffered ECC = False - Буфферізація Неточна
Clock Frequency = Частота Годинника = 1200 MHz
Напруга живлення: від негативної 0.0 Вт. до 1.2 Вт = 1200 мілі-вольт
Осередки (ячейки) 1T1C мають всю ідентичну здатність та спроможність та ультра розмір (в декілька НАНО розмірних габаритів) - які мають побудовану структуру і складаються з транзистора (який викор. для ізоляції) конденсатора який в свою чергу накопичує електричний заряд чи електрон у вигляді 1 біта даних в одному конденсаторі, матеріал в цьому конд. це ел.провідний чи активний - кремній з рядністью 1 вольт, та негативний який розряжає конд. в нуль 0.0 вольт.
(кожний окремий банк на платі має накопичення до 1 Гб. даних)
Схема таймінгів: (Clock Cycles CL17)
-
тест плат був виконаний при программі:
MemTest 86 v. 11.3 Pro Build 1000
PassMarkSoftware - passmark com
-
Кількість модулів ОЗП: 1
Виявлено кількість SPDs ОЗП: 1
Усього фізичної пам'яті: 3995M
RAM Configuration:
Transfer Speed: 2400MT/s
Channel Mode: x1 Канал
Timings: 17-17-17-39
Voltage: 1.200mV
ECC активний: Ні
-
Максимальна тактова частота (МГц): 1200 (JEDEC)
Максимальна швидкість передачі даних (MT/s): DDR4-2400
Максимальна пропускна спроможність (МБ/сек.): PC4-19200
Об'єм пам'яті (МБ): 4096
Назва виробника (JEDEC): Micron Technology
Версія SPD: 1.1
ECC: Ні
SPD: 0
Частина модуля: 4ATF51264HZ-2G3E2
Версія модуля: 0x0032
Порядковий номер модуля: 1E5F113A
Місцезнаходження модуля: 0x0F
Ряд адресних бітів: 16
Колонки адресних бітів: 10
Банків: 8
Рангів: 1
Ширина пристрою в бітах: 16
Ширина шини в бітах: 64
Напруга модуля: 1.2V
Підтримувані латентності (CAS): 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Максимальна тактова частота МГц: 1200
Максимальна швидкість передачі MT/s: DDR4-2400
Максимальна пропускна спроможність МБ/сек.: PC4-19200
Мінімальний час циклу, tCK ns: 0.833
Мінімальний час латентності CAS, tAA ns: 13.750
Мінімальна затримка з RAS в CAS, tRCD ns: 13.750
Мінімальний передзавантажувальний час ряду, tRP ns: 13.750
Мінімальний час від активного до передзавантажувального, tRAS ns: 32.000
Мінімальна затримка від активного до активного ряду, tRRD ns: 5.300
Мінімальний час від автооновлення до активного автооновлення, tRC ns: 45.750
Мінімальний командний період від автооновлення до активного автооновлення, tRFC ns: 350.000
DDR4 Specific SPD Attributes
Maximum Clock Cycle Time, tCKmax ns: 1.600
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC2 ns: 260.000
Minimum Auto-Refresh to Active/Auto-Refresh Delay, tRFC4 ns: 160.000
Minimum Activate to Activate Delay diff. bank group, tRRD_Smin ns: 5.300
Minimum Activate to Activate Delay same bank group, tRRD_Lmin ns: 6.400
Minimum CAS to CAS Delay Time Same Bank Group, tCCD_Lmin ns: 5.000
Minimum Four Activate Window Delay ns: 30.000
Maximum Activate Window in units of tREFI: 8192
Thermal Sensor Present: No
DRAM Stepping: 69
SDRAM Package Type: Monolithic, 1 die, Single load stack
Maxium Activate Count (MAC): Unlimited MAC
Post Package Repair Supported: Yes
Module Type: SO-DIMM
Total Width: 64 bits
Data Width: 64 bits
Form Factor: SODIMM
фізичної пам'яті: 3995M (11986 MB/s)
RAM Configuration: DDR4 2400MT/s x1 Канал 17-17-17-39 1.200mV
Виявлено кількість SPDs ОЗП: 1
SPD 0: 4GB DDR4 1Rx16 PC4-19200
Кількість модулів ОЗП: 1
DIMM0: 1Rx8 PC4-19200
Vendor Part Info: 0x802C
SMBIOS Profile: 2400MT/s
-
support . apple . com / kb / SP760?locale=uk_UA
micron . com / products / memory / dram-modules / sodimm
micron . com / products / memory / dram-modules / udimm
Б/В
yuriyborsuk
3 тижні
yuriyborsuk
1 місяць
СТМ
1 місяць
Буд Індустрія1
1 місяць
Nekatradegroup
1 місяць
avraamkul
3 тижні
alextimchenko
3 тижні
alextimchenko
1 місяць
Сергій
2 місяці
avraamkul
2 тижні
alextimchenko
1 тиждень
avraamkul
2 тижні
Галина
2 тижні
yuriyborsuk
2 тижні
avraamkul
Понеділок 08:00
yuriyborsuk
Субота 21:30
alextimchenko
1 місяць
Галина
3 тижні
Мар'яна Лисак
3 тижні
alextimchenko
1 місяць
alextimchenko
1 місяць
yuriyborsuk
1 місяць
Майстерня Даху
2 тижні
yuriyborsuk
2 тижні
